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射頻功率晶體管
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BLF177

NXP射頻功率晶體管BLF177

場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET VHF SOT121

  • 晶體管類型: RF MOSFET
  • 電壓, Vds 最大: 125V
  • 電流, Id 連續(xù): 16A
  • 功耗, Pd: 220W
  • 封裝類型: SOT-121B
  • 針腳數(shù): 4
  • SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)): No SVHC (19-Dec-2012)
  • 典型增益帶寬, ft: 28MHz
  • 功耗, Pd: 220W
  • 功耗最大值: 220W
  • 器件標(biāo)號(hào): 1
  • 在電阻RDS(上): 200mohm
  • 封裝/箱盒: SOT-121
  • 封裝類型: SOT-121
  • 晶體管數(shù): 1
  • 晶體管極性: N溝道
  • 用途代碼: RFPOWMOS
  • 電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量: 10V
  • 電壓, Vds 典型值: 125V
  • 電流, Idss 最大: 2.5mA
  • 通態(tài)電阻最大值: 300mohm
  • 針腳格式: D(1), S(2&4), G(3)
  • 閾值電壓, Vgs th 典型值: 4.5V
  • 閾值電壓, Vgs th 最低: 2V
  • 閾值電壓, Vgs th 最高: 4.5V

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